◇◇新语丝(www.xys.org)(xys3.dxiong.com)(www.xysforum.org)(xys2.dropin.org)◇◇   我也说几句浙江大学叶志镇教授造假的事实   作者: 哲达人   读了樊贾《浙江大学叶志镇教授涉嫌伪造实验数据骗取国家自然科学二等奖》 一文,多年压抑的郁闷终于有了释放的机会。终于有人开始揭发叶志镇教授造假 的事情了。其实叶教授造假由来已久。90年代后期,本人在浙大学习,曾经参观 过他的实验室。对他有关GaN的工作有了一点了解。后来毕业后到海外学习,从 事分子束外延生长方面的研究工作,才明白他发表的文章数据完全都是伪造的。 例如晓评发表的《浙江大学叶志镇教授数次一稿七发英文论文,严重学术腐败!》 一文中提及的发表在journal of Applied   Physics 一文(Epitaxial growth of wurtzite GaN on Si(111) by a vacuum reactive evaporation, Journal of Applied Physics Vol. 87, No. 6, (2000),2830-2833)和其他相关文章中有关数据绝大多数都一定是伪造的。   先让我讲一点叶教授GaN样品制备设备吧。当时他只用了一台简单的热蒸发 台,背底真空最好也不过5E-5 Pa的水平。在这样的设备中通上氨气,加热蒸发 镓,在硅表面外延生长GaN。   本人通过几年分子束外延工作深知这是绝对不可能的。为了制备具有叶先生 发表的结果那样的样品,我们通常需要在超高真空环境,经近10个小时源材料除 气,并且要在生长时利用液氮冷阱吸附杂质气体。其他利用原位监测工具等手段 控制晶体生长条件等就不提了。如果叶志镇的结果不是伪造的,那么世界上数以 千计的从事分子束外延研究的科学工作者一定都是大傻瓜,在此领域做出杰出贡 献的卓以和先生和张立刚先生同叶教授相比也愚不可及。   希望杨卫校长能够组织一个真正独立的调查组,追查叶志镇造假的事实。   别给浙大人丢人。 (XYS20090405) ◇◇新语丝(www.xys.org)(xys3.dxiong.com)(www.xysforum.org)(xys2.dropin.org)◇◇