◇◇新语丝(www.xys.org)(xys4.dxiong.com)(www.xinyusi.info)(xys2.dropin.org)◇◇   我也说说p型ZnO   作者:不说不快   不知为什么,最近大家又在新语丝上对p型ZnO和叶志镇造假的问题感兴趣了。 看了DW的帖子不禁为他的无知感到惭愧。   ZnO的p型掺杂和其他宽禁带半导体绝不一样。例如上世纪九十年代初 Florida大学的Park教授在实现了ZnSe的p型掺杂后,很快就由3M公司的郑华等实 现了蓝绿光的激光器,后来其他实验室也先后实现了室温半导体激光器。在日本 的日亚公司实现了GaN的p型掺杂后,他们很快就实现了LED并在1995年实现了激 光器。而ZnO的p型掺杂已经报道了超过十年了,至今未见像样的LED报道。所报 道的LED大都是带隙的缺陷发光。例如南京大学的张荣副校长和郑院士等发表在 APL上的LED的发光竟然发生在70V的偏压下,而且一点也看不出二极管导电特性。 显然是场致发光。   究其原因,恐怕是材料的基本物理特性所致,简单地到Google搜索一下ZnO 和gas sensor,你会发现N多结果。一个在不同气氛下有不同电阻率的材料怎么 会有稳定的物理特性。学过固体化学的人都知道,这些大概都可归于O空位或Zn 间隙原子。   由以上两点就可以大致得到以下两种可能:1)科技部组织的评审专家都是 不学无术的家伙;2)他们已经被叶志镇买通。恐怕后者的可能性更大一些。 (XYS20100212) ◇◇新语丝(www.xys.org)(xys4.dxiong.com)(www.xinyusi.info)(xys2.dropin.org)◇◇