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　　浙江大学叶志镇教授数次一稿七发英文论文，严重学术腐败！

　　作者：晓评

　　在查阅文献时，发现浙江大学教授叶志镇和Haoqiang Zhang等人的两篇关于
GaN的英文论文完全相同，投稿日期相差几天，完全属于一稿多投（见附件第一
组）。进一步发现另外5篇英文论文，和上述两篇论文的内容和图谱基本相同，
只是图谱和文字略有增减（见附件第二组）。太厉害啦，同样的内容竟然搞成了
7篇英文论文，发表在不同的国际杂志上，恐怕是绝无仅有了！

　　这激起我强烈的打假兴趣，在网上搜索了一番，被彻底雷倒，问题还更严重。
叶志镇等人多次、多批量的一稿两投、甚至一搞三投（见附件第三～七组），触
目惊心！有的论文文字图谱完全一样，有的部分论文图谱基本一样，文字略有变
动。分投了不同的杂志，但叶志镇等人似乎精通反打假术，在abstract和作者顺
序以及作者姓名的翻译方法上精心作了改变。

　　简单搜索，就发现了浙江大学叶志镇教授七组（十九篇）重复投稿的论文
（见附件），时间跨度从1999年至2003年，部分文章第一作者是他本人。朋友若
有兴趣和耐心的话，可以继续搜索，相信还会有更大突破。

　　一稿多投的数目之大，范围之广，实在令人乍舌！如此的学术道德，浙江大
学如何能够容忍？奇怪的是，居然一直没有人发现? 浙江大学Sci论文数量最近
排在高校前列，难道是这样写出来的？

　　叶志镇何许人也？从浙江大学校网上介绍可知：叶志镇是浙江大学的牛人之
一。叶志镇,教授，博导，1955年5月28日生，1987年毕业于浙江大学光仪系并获
博士学位。现任浙大材料与化工学院副院长，硅材料国家重点实验室主任，浙大
纳米科学与技术中心主任。中国电子学会第五届理事、中国电子材料委员会委员、
半导体与集成技术委员会委员；中国有色金属半导体材料委员会委员；浙江省纳
米材料协会副理事长；《半导体学报》、《科技通报》、《材料科学与工程》编
委等。93年获国家教育部优秀年青教师基金，94年被评为全国国家重点实验室全
国先进工作者并获“金牛奖”；95年遴选为浙江省首批“中青年学术带头人”；
96年入选国家教育部“跨世纪优秀人才培养计划”；97年入选国家“百千万人才
工程”第一、二层次培养计划；98年享受国务院特殊津贴。国内外期刊上发表论
文175篇，被SCI收录65篇、EI收录75余篇。

　　牛人啊！牛人。

　　附件：叶志镇重复发表论文的清单

　　第一组论文：

　　（以下两篇论文文字图谱几乎一模一样，作者姓名巧妙改变）

　　1.        An investigation on the epitaxial growth of GaN film on 
Si(111) substrate，H. X. Zhang, Z. Z. Ye, B. H. Zhao，Journal Of 
Materials Science Letters 19 (2000) 529– 531

　　2.        Investigation of preparation and properties of epitaxial 
growth GaN "lm on Si(1 1 1) substrate，Haoxiang Zhang, Zhizhen Ye, 
Binghui Zhao，Journal of Crystal Growth 210 (2000) 511-515

　　第二组论文：

　　(以下四篇论文在第一组论文基础上，增减少量图谱，内容基本一样)

　　1.        An investigation of structural, optical and electrical 
properties of GaN thin films grown on Si(111) by reaction evaporation，
Haoxiang Zhang, Zhizhen Ye, Binghui Zhao，Solid-State Electronics 46 
(2002) 301–306

　　2.        Hexagonal GaN epitaxial growth on silicon (111) by a 
vacuum reactive evaporation， Haoxiang Zhang, Zhizhen Ye, and Binghui 
Zhao，phys. Stat.sol. (a), 177(2000)485

　　3.        Epitaxial growth of wurtzite GaN on Si(111) by a vacuum 
reactive evaporation， Journal of Applied Physics Vol. 87, No. 6, 
(2000)，2830－2833

　　4.        Structure and photoluminescence characterization of GaN 
film grown on Si (111) substrate，Ye ZHI-zhen, Zhang HAO-xiang, Lu 
HUAN-ming, Zhao BIN-hui, CHIN.PHYS.LETT.,Vol.16, No.4.(1999)293

　　5.        X-ray diffraction, photoluminescence and secondary ion 
mass spectroscopy study of GaN films grown on Si(111) substrate by 
vacuum reactive evaporation, Haoxiang Zhang, Zhizhen Ye, Binghui Zhao 
and Hongxue Liu, Semicond. Sci. Technol. 15 (2000) 649–652.

　　第三组论文：

　　（以下三篇论文内容基本相同，连文字也改变较少，作者名字顺序稍作改变。
其中第2篇和第3篇几乎一字未改）

　　1.        掺碳锗硅合金最新研究进展，亓震，叶志镇，材料科学与工程，
第16 卷第3期, (1998)22

　　2.        掺碳锗硅合金的制备及其性能研究进展，亓震，叶志镇，黄靖云，
卢焕明，赵炳辉，半导体光电，第20 卷第3期, (1999)154

　　3.        锗硅碳合金的制备及其性能研究进展，亓震，卢焕明，赵炳辉，
黄靖云，叶志镇，半导体技术，第24 卷第5期, (1999)1

　　第四组论文：

　　（以下两篇中文论文内容基本相同，连文字也改变较少，作者名字顺序稍作
改变。）

　　1.        UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效，叶志镇，
章国强，亓震，黄靖云，卢焕明，赵炳辉，汪雷，袁骏，第21卷第3期，半导体
学报，Vol. 21. No. 3， (2000)239

　　2.        锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究，章国强，黄靖云，亓震，
卢焕明，赵炳辉，汪雷，叶志镇，材料科学与工程，第18 卷第1 期, (2000)25

　　第五组论文：

　　（以下两篇论文内容基本相同，连文字也改变较少，作者名字顺序稍作改
变。）

　　1.        Effects of oxygen pressure on the c -axis oriented 
growth of LiNbO3 thin film on SiO2/Si substrate by pulsed laser 
deposition， Xinchang Wang，Junhui He，Jingyun Huang, Binghui Zhao, 
Zhizhen Ye? Journal of Materials Science Letters 22, 2003, 225– 227

　　2.        Growth and characterization of C -oriented growth of 
LiNbO3 thin film on Si (100) by PLD, Xinchang Wang，Zhizhen Ye, Junhui 
He, Jingyun Huang, Binghui Zhao, International Journal of Mordern 
Physics, Vol.16, Nos.28-29, (2002)4343

　　第六组论文：

　　（以下三篇外文论文内容基本相同，图谱也基本相同）

　　1.        A novel technique to grow Ge quantum dots on porous Si 
by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition, Jingyun Huang, Zhizhen 
Ye, Lei Wang，Journal of Materials Science Letters 21, 2002, 129– 131

　　2.        Area preferental nucleation of Ge nano-dots on nano-size 
porous silicon, Jingyun Huang, Zhizhen Ye, Haiyan Zhang, Xianfeng Ni, 
Materials Research Bulletin, 37(2002)793

　　3.        Photoluminescence of Ge quantum dots prepared on porous 
silicon by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition, Jingyun Huang, 
Zhizhen Ye, Binghui Zhao, Xiangyang Ma, Yadong Wang, Applied Physics 
Letters, Vol. 78, No. 13, ( 2001)1858

　　第七组论文：

　　（以下两篇论文内容和图谱基本相同，连文字也改变较少。）

　　1.        Effect of substrate temperature on the properties of 
Zn1-xMgxO films on silicon, Zou Lu, Ye Zhizhen, Huang Jingyun, Zhao 
Binhui, International Journal of Mordern Physics, Vol.16, Nos.28-29, 
(2002)4255-4258

　　2.        Structure and charactrization and photoluminecent 
preperties of Zn1-xMgxO films on silicon, ZOU Lu, YE Zhi-zhen, HUANG 
Jing-yun, ZHAO Bin-hui, CHIN.PHYS.LETT., Vol.19, No.9. (2002)1350

(XYS20081229)

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